仪器设备
无掩模激光直写系统 |
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| 仪器中文名 | 无掩模激光直写系统 |
| 仪器英文名 | Maskless Laser Direct Writing System |
| 型号 | MLA 150 |
| 制造商 | Heidelberg Instruments |
| 产地 | 德国 |
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| 仪器负责人 | |
| 可对外开放时间 | |
| 安放地点 | |
| 所在实验室 | 分子材料与纳米加工 |
| 主要规格 | 最小特征尺寸1 μm，最大曝光面积6” x 6”。 |
| 技术指标 | 非接触式曝光； 光源包括有405 nm和375 nm两个曝光波段； 基于DLPTM器件的新型光学引擎，书写速度快、分辨率高； 最大加工区域150*150mm2 ； 直写速度为 9分钟（100 x 100 mm2）、 16 分钟（150 x 150 mm2）； 套刻对准精度≤500nm； 线宽均匀性：100nm； 可识别DXF, CIF, GDSII, Gerber格式导入文件 |
| 功能 | 掩模板制作功能：制作紫外光刻掩膜版； 光刻胶直写功能：在基片上直写亚微米到微米尺度的光刻胶图形； 线宽距离测量功能：利用摄像头将已经完成显影或刻蚀的图形传到显示屏，再利用测量软件进行线宽、线距或坐标距离的量测； 套刻直写功能：多次曝光工艺之间的套刻直写，套刻精度500nm； 三维灰阶光刻功能：利用软件来控制激光的能阶，在光刻胶上实现三维光刻胶结构。 |
| 应用范围 | 无需接触曝光避免基底损伤、更高的精度、实时在线动态图形化、数字化刻蚀，以及先进的三维灰阶刻蚀，从而实现微型光学器件和MEMS器件的3D结构，可应用于集成电子领域的高精度光掩膜版制作、平面显示技术、MEMS、MOEMS、半导体微光路、传感器及柔性执行器等制作。 |
| 主要附件 | |
| 收费标准 | |
| 检测说明 | |
| 备注 | |
