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| 仪器中文名 | 反应等离子体刻蚀机 |
| 仪器英文名 | RIE Plasma Etcher |
| 型号 | Etchlab 200 |
| 制造商 | SENTECH |
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| 仪器负责人 | |
| 可对外开放时间 | |
| 安放地点 | |
| 所在实验室 | 分子材料与纳米加工 |
| 仪器编号 | |
| 主要规格 | 反应腔材质AlMgSi0.5, 内径298mm, 下电极直径215mm，可放4"-8"晶圆，RF电源，600W，气冷。 |
| 技术指标 | 1.刻蚀材料范围：Si、SiO2、Si3N4等硅基材料； 2.样品尺寸：最大可加工基片尺寸200 mm； 3.供气系统：7路刻蚀气管，包括CF4、CHF3、SF6、N2、He、O2、Ar等。 |
| 功能 | 等离子体高能离子轰击材料表面反应达到刻蚀 |
| 应用范围 | 可应用于 硅、氧化硅、氮化硅 、III-V化合物、Au 及聚合物（PDMS/PMMA)等材料刻蚀 |
| 主要附件 | 反应腔、真空泵组、工艺控制软件 |
| 收费标准 | |
| 检测说明 | |
| 备注 | 对未知工艺参数刻蚀材料，价格另议 |
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