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| 仪器中文名 | 原子气相沉积仪 |
| 仪器英文名 | Atomic Layer Deposition |
| 型号 | TALD-100R |
| 制造商 | 科民 |
| 产地 | 中国 |
| 购买年份 | 2018 |
| 仪器负责人 | 高珍 |
| 可对外开放时间 | |
| 安放地点 | D区一层 |
| 所在实验室 |
分子材料与纳米加工
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| 仪器编号 | |
| 主要规格 |
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| 技术指标 |
1. 样品最大尺寸：4英寸（兼容2英寸）；
2. 样品不均匀性：优于1.0%；
3. 载物台最高温度：400°C，控温精度±1℃；
4. 前驱体最高加热温度：200°C；
5. 带等离子增强功能，射频电源300 W；
6. 气路：O源，H2O，Al源，In源，Ga源，Zn源六路前驱体源管路；
7. 使用氮气做载气，控制载气流量10-1000 sccm；
7. 膜厚均匀性：≤±1%
8. 循环时间：＜4s/cycle
9. 颗粒度：0.3 um以上颗粒增加值<30颗
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| 功能 |
可用于实验室级的薄膜制备，在平面及三维结构材料上沉积致密纳米薄膜，沉积材料种类：HfO2、ZrO2、A2O3、TiO2、ZnO、MgO、SnO2、SiO2、Pt等薄膜。
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| 应用范围 |
场效应晶体管介质层、high-K栅极绝缘层、铁电材料、OLED封装涂层、太阳能电池钝化层、锂离子电池、光学元件镀膜、MEMS等领域。
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| 主要附件 | |
| 收费标准 |
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| 检测说明 |
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| 备注 |
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