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| 仪器中文名 | 电子束曝光机 |
| 仪器英文名 | E-Beam Lithography |
| 型号 | ELPHY |
| 制造商 | FEI |
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| 仪器负责人 | |
| 可对外开放时间 | |
| 安放地点 | |
| 所在实验室 | 分子材料与纳米加工 |
| 仪器编号 | |
| 主要规格 | Quanta 250FEG，电子束曝光图形发生器 ELPHY Quantum |
| 技术指标 | 1. 分辨率：二次电子成像高真空模式：2.0 nm（30 KV），3.5 nm(3 KV) 2. 加速电压范围：200 V~30 KV 3. 扫描频率 6MHz 4. 最小停留时间 167 ns 5. 写场修正：硬件修正 |
| 功能 | 高能电子束曝光无需掩模版,制作微纳图形结构。 |
| 应用范围 | 低维材料电极制作、微纳光电子器件图形制作。 |
| 主要附件 | 场发射灯丝、图形发生器、CCD |
| 收费标准 | |
| 检测说明 | |
| 备注 |
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