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| 仪器中文名 | 紫外光刻机（亚微米紫外图形制备系统） |
| 仪器英文名 | UV Lithography Machine |
| 型号 | MA6 Gen4 |
| 制造商 | SUSS MicroTec |
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| 仪器负责人 | |
| 可对外开放时间 | |
| 安放地点 | |
| 所在实验室 |
分子材料与纳米加工
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| 仪器编号 | |
| 主要规格 |
基片支持4",样品厚度≤3mm；具有Wedge Error Compensation (WEC)功能；接触方式：真空，低真空接触, 硬接触，软接触；光刻版尺寸：4寸样片5寸版，3寸以下样片4寸或5寸版。
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| 技术指标 |
（1） 接触式光刻，可实现双面对准，
（2） 光源波长：紫外光365nm～450nm
（3） 光强均匀性：2% （3英寸的衬底）
（4） 最大曝光面积100mm，分辨率: 0.8μm；
（5） 对准模式：正和背面两种对准方式
（6） 正面套准精度：0.5μm，
（7） 背面套准精度：1μm；
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| 功能 |
微纳结构与器件图形光刻， 将芯片制作所需要的线路与功能区图形从掩模版复制到样品上。光刻机光源发出的光通过具有图形的掩模版对涂有光刻胶的样品曝光，利用感光后的光刻胶在显影溶液中的溶解速度不同实现图形的复制。
制作亚微米(最小线宽0.8 μm)的图形、微器件，如制作下列器件结构：微电子器件，光电子器件，生物传感器，微机电系统，超导电子学器件及自旋电子器件
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| 应用范围 |
适用小尺寸衬底材料、MEMS、光电领域、及易脆 III-V材料的微纳结构与器件图形光刻
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| 主要附件 | 光源、减震台 |
| 收费标准 |
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| 检测说明 |
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| 备注 |
自备光刻版
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